ウェハ

半導体ファブでは加工される対象（材料）はウェハです。ウェハは円形をしております。この表面にＬＳＩ（＝チップ）がいくつも形成されるわけです。

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よって、ウェハの直径が大きいほうが一度に製造出来るＬＳＩの数が多くなりますので、より大きいウェハが望まれます。大きなウェハを作る技術とそれを処理する技術の制約がありますので無制限に大きなウェハを用いることは出来ません。今、先端の半導体ファブで用いられているのは直径３００ｍｍのウェハです。